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不能买世界杯:详解LED外延芯片工艺流程及晶片分类

发布时间:2021-09-06 18:40:36 来源:欧宝娱乐官网app下载 作者:欧宝娱乐平台app

  在现在商品化LED 之资料及其外延技能中,赤色及绿色发光二极管之外延技能大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管现在仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP 资料为主。

  一般来说,GaN 的成长需要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解,别的一方面由动力学仿线 和MO Gas 会进行反响发生没有挥发性的副产物。

  衬底 - 结构规划- 缓冲层成长- N型GaN 层成长- 多量子阱发光层生- P 型GaN 层成长- 退火- 检测(光荧光、X 射线) - 外延片;

  外延片- 规划、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级

  退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片外表和氧气发生反响,使硅片外表构成二氧化硅保护层。

  倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,避免硅片边际决裂及晶格缺点发生,添加磊晶层及光阻层的平整度。此进程中发生的硅粉选用水淋,发生废水和硅渣。

  研磨:用磨片剂除掉切片和轮磨所造的锯痕及外表损害层,有用改进单晶硅片的曲度、平整度与平行度,到达一个抛光进程能够处理的标准。此进程发生废磨片剂。

  清洗:通过有机溶剂的溶解效果,结合超声波清洗技能去除硅片外表的有机杂质。此工序发生有机废气和废有机溶剂。

  SPM 清洗:用H2SO4 溶液和H2O2 溶液按份额配成SPM 溶液,SPM 溶液具有很强的氧化才能,可将金属氧化后溶于清洗液,并将有机污染物氧化成CO2 和H2O。用SPM 清洗硅片可去除硅片外表的有机污物和部分金属。此工序会发生硫酸雾和废硫酸。

  DHF 清洗:用必定浓度的氢氟酸去除硅片外表的天然氧化膜,而附着在天然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中,一起DHF 按捺了氧化膜的构成。此进程发生氟化氢和废氢氟酸。

  APM 清洗:APM 溶液由必定份额的NH4OH溶液、H2O2 溶液组成,硅片外表因为H2O2 氧化效果生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后当即又发生氧化,氧化和腐蚀重复进行,因而附着在硅片外表的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处发生氨气和废氨水。HPM 清洗:由HCl 溶液和H2O2 溶液按必定份额组成的HPM,用于去除硅外表的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序发生氯化氢和废盐酸。

  磨片检测:检测通过研磨、RCA 清洗后的硅片的质量,不符合要求的则从新进行研磨和RCA 清洗。

  腐蚀A/B:经切片及研磨等机械加工后,晶片外表受加工应力而构成的损害层,一般选用化学腐蚀去除。腐蚀A 是酸性腐蚀,用混酸溶液去除损害层,发生氟化氢、NOX 和废混酸;腐蚀B 是碱性腐蚀,用氢氧化钠溶液去除损害层,发生废碱液。本项目一部分硅片选用腐蚀A,一部分选用腐蚀B。分档监测:对硅片进行损害检测,存在损害的硅片从头进行腐蚀。

  精抛光:运用精磨剂改进硅片外表的微粗糙程度,一般去除量1um以下,然后的到高平整度硅片。发生精抛废液。

  芯片到制造成小芯片之前,是一张比较大的外延片,所以芯片制造工艺有切开这快,便是把外延片切开成小芯片。它应该是LED制造进程中的一个环节。